01 ноября 2005
Тегеран, 1 ноября 2005 года -- В тегеранском Технологическом университете им. Ходжа Насиреддина Туси создан самый быстрый в мире транзистор. Как сообщили ИРНА сегодня в отделе по связям с общественностью университета, солитоновый транзистор создан преподавателем Электротехнического факультета ТУ им. Ходжа Насиреддина Туси доктором Фаршидом Раиси. При создании этого транзистора был использован новый проводниковый материал – солитон, структурно устойчивая одиночная волна, распространяющаяся в нелинейной среде. Солитоны ведут себя подобно частицам: при взаимодействии друг с другом или с некоторыми другими возмущениями они не разрушаются, а расходятся, сохраняя свою структуру неизменной. По словам изобретателя солитонового транзистора Фаршида Раиси, устройство создано в размере 8/10 миллиметра и выдерживает частоту свыше 8 гигагерц, что в три раза быстрее современных полупроводниковых транзисторов. Стратегической целью иранский изобретатель считает создание солитонового транзистора в масштабе 100 нанометров с частотой 200 - 300 Ггц для применения в суперкомпьютерах. Фото: Электротехнический факультет ТУ им. Ходжа Насиреддина Туси
Источник:
ИРНА
Поделиться:
Комментарии
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарий